HIGHER SELECTIVITY, METHOD FOR PASSIVATING SHORT CIRCUIT CURRENT PATHS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for passivating short circuit defects in a thin film large area photovoltaic device in accordance with an exemplary embodiment is provided. The method employs a passivation agent and a counter electrode disposed in said passivation agent. The method includes controlling an application of current between the substrate of said photovoltaic device and said counter electrode so as to ensure high selectivity of modification of a transparent conductive oxide material of said photovoltaic module adjacent said short circuit defect, while leaving the transparent conductive oxide" material of "said photovoltaic module of nori:defect areasTin its unmodified form. La présente invention a trait à un procédé permettant de passiver les défauts de court-circuit dans un dispositif photovoltaïque doté d'une zone importante à couche mince selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple. Le procédé emploie un agent de passivation et une contre-électrode disposée dans ledit agent de passivation. Le procédé inclut une étape consistant à contrôler une application de courant entre le substrat dudit dispositif photovoltaïque et ladite contre-électrode de manière à garantir une sélectivité élevée de modification d'une substance d'oxyde conductrice transparente dudit module photovoltaïque adjacent audit défaut de court-circuit, tout en conservant la forme non modifiée de la substance d'oxyde conductrice transparente dudit module photovoltaïque adjacent audit défaut de court-circuit.