ASYMMETRICALLY RECESSED HIGH-POWER AND HIGH-GAIN ULTRA-SHORT GATE HEMT DEVICE

A high-power and high-gain ultra-short gate HEMT device has exceptional gain and an exceptionally high breakdown voltage provided b) an increased width asymmetric recess for the gate electrode, by a composite channel iaycr including a thin indium arsenide layer embedded in the indium gallium arsenide channel layer and by double doping through the use of an additional silicon doping spike. The improved transistor has an exceptional 14 dB gain at 1 10 GI iz and exhibits an exceptionally high 3.5-4 V breakdown voltage, thus to provide high gain, high-power and ultra-high frequency in an ultra-short gate device. La présente invention concerne un dispositif HEMT de grille ultra-courte à gain élevé et grande puissance qui présente un gain exceptionnel et une tension disruptive exceptionnellement élevée. Ledit dispositif est pourvu d'un renfoncement asymétrique à largeur accrue pour l'électrode grille, d'une couche de canal composite comprenant une mince couche d'arséniure d'indium incorporée dans la couche de canal d'arséniure de gallium d'indium et d'un dopage double par l'utilisation d'une pointe de dopage de silicium supplémentaire. Le transistor amélioré présente un gain exceptionnel de 14 dB à 1 10 GI-Iz et une tension disruptive de 3,5 à 4 V exceptionnellement élevée, procurant ainsi une fréquence ultra-élevée à grande puissance et à gain élevé dans un dispositif de grille ultra-courte.