LOW THERMAL RESISTANCE AND ROBUST CHIP-SCALE-PACKAGE (CSP), STRUCTURE AND METHOD

A chip scale package (CSP) semiconductor device can include a semiconductor layer, circuitry on an active surface of the semiconductor layer, and a diamond layer on a back side of the semiconductor layer. The diamond layer can provide an efficient heat sink for the semiconductor layer, with a thermal conductivity which can be more than three times greater than the thermal conductivity of copper. Further, a hardness of the diamond layer {up to about 10 times stronger than silicon) can provide effective protection against damage to the exposed semiconductor layer, for example during manufacturing, handling, and use of the CSP device. Thus a thin protective diamond layer can be used, which can result in a very thin CSP package design. L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs à boîtier à puce (CSP) qui peut comprendre une couche semi-conductrice, des circuits sur une surface active de la couche semi-conductrice, et une couche de diamant sur un côté arrière de la couche semi-conductrice. La couche de diamant peut créer un dissipateur thermique efficace pour la couche semi-conductrice, dont la conductivité thermique peut être plus de trois fois supérieure à la conductivité thermique du cuivre. En outre, une dureté de la couche de diamant (jusqu'à environ dix fois plus dure que celle du silicium) peut offrir une protection efficace contre un endommagement de la couche semi-conductrice exposée, par exemple au cours de la fabrication, de la manipulation et de l'utilisation du dispositif CSP. Ainsi, une mince couche protectrice de diamant peut être utilisée, ce qui peut se traduire par une conception de boîtier CSP très mince.