PULSED PLASMA DEPOSITION FOR FORMING MICROCRYSTALLINE SILICON LAYER FOR SOLAR APPLICATIONS
A method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer is provided. In one embodiment, the microcrystalline silicon layer is fabricated by providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture into the processing chamber, applying a RF power at a first mode in the gas mixtu...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer is provided. In one embodiment, the microcrystalline silicon layer is fabricated by providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture into the processing chamber, applying a RF power at a first mode in the gas mixture, pulsing the gas mixture into the processing chamber, and applying the RF power at a second mode in the pulsed gas mixture.
Cette invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium microcristalline du type intrinsèque. Dans un mode de réalisation, la couche de silicium microcristalline est formée par positionnement d'un substrat dans une chambre de traitement, injection d'un mélange gazeux dans la chambre de traitement, application d'un courant RF selon un premier mode au mélange gazeux, pulsage du mélange gazeux dans la chambre de traitement, et application du courant RF selon un second mode au mélange gazeux pulsé. |
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