METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC ETCH WITH REDUCED DAMAGE
A method for etching features in a low-k dielectric layer disposed below an organic mask is provided by an embodiment of the invention. Features are etched into the low-k dielectric layer through the organic mask. A fluorocarbon layer is deposited on the low-k dielectric layer. The fluorocarbon laye...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A method for etching features in a low-k dielectric layer disposed below an organic mask is provided by an embodiment of the invention. Features are etched into the low-k dielectric layer through the organic mask. A fluorocarbon layer is deposited on the low-k dielectric layer. The fluorocarbon layer is cured. The organic mask is stripped.
L'invention concerne, dans un mode de réalisation, un procédé de gravure de caractéristiques dans une couche de diélectrique à constante K basse déposée sous un masque organique. Le procédé consiste à graver des caractéristiques dans la couche de diélectrique à constante K basse à travers le masque organique, à déposer une couche de fluorocarbure sur la couche de diélectrique à constante K basse, à durcir la couche de fluorocarbure et à retirer le masque organique. |
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