METHOD FOR LOW-K DIELECTRIC ETCH WITH REDUCED DAMAGE

A method for etching features in a low-k dielectric layer disposed below an organic mask is provided by an embodiment of the invention. Features are etched into the low-k dielectric layer through the organic mask. A fluorocarbon layer is deposited on the low-k dielectric layer. The fluorocarbon laye...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SIRARD, STEPHEN M, DELGADINO, GERARDO A, BAILEY, ANDREW D., III, KO, JUNGMIN, HUDSON, ERIC A, JI, BING, YEN, BI-MING, HEFTY, ROBERT C, TAKESHITA, KENJI, CHENG, YU, LE, DANIEL, MORAVEJ, MARYAM
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method for etching features in a low-k dielectric layer disposed below an organic mask is provided by an embodiment of the invention. Features are etched into the low-k dielectric layer through the organic mask. A fluorocarbon layer is deposited on the low-k dielectric layer. The fluorocarbon layer is cured. The organic mask is stripped. L'invention concerne, dans un mode de réalisation, un procédé de gravure de caractéristiques dans une couche de diélectrique à constante K basse déposée sous un masque organique. Le procédé consiste à graver des caractéristiques dans la couche de diélectrique à constante K basse à travers le masque organique, à déposer une couche de fluorocarbure sur la couche de diélectrique à constante K basse, à durcir la couche de fluorocarbure et à retirer le masque organique.