METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SELECTIVE EMITTER

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. Solarzellen mit selektivem Emitter. Zunächst werden sägeschadenfreie Wafer (1) bereitgestellt. Es erfolgt dann ein vollflächiges Aufbringen einer Dotierquelle (2) auf den Wafer sowie ein leichtes, erstes Eindiffundieren des Dotanden bis zum E...

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Hauptverfasser: MEYER, KARSTEN, LOSSEN, JAN, WUETHERICH, TOBIAS, WEISS, MATHIAS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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creator MEYER, KARSTEN
LOSSEN, JAN
WUETHERICH, TOBIAS
WEISS, MATHIAS
description Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. Solarzellen mit selektivem Emitter. Zunächst werden sägeschadenfreie Wafer (1) bereitgestellt. Es erfolgt dann ein vollflächiges Aufbringen einer Dotierquelle (2) auf den Wafer sowie ein leichtes, erstes Eindiffundieren des Dotanden bis zum Erreichen eines ersten Schichtwiderstandsbereichs. Hieran schließt sich eine Strukturierung der aufgebrachten Dotierquelle an, wobei im Ergebnis der Strukturierung nur solche Bereiche (4) verbleiben, die im Wesentlichen den später zu kontaktierenden Abschnitten auf dem Wafer entsprechen. Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs. The invention relates to a method for producing solar cells having a selective emitter. Wafers (1) having no saw damage are first provided. A full-surface application of a doping source (2) to the wafer and a light, first inward diffusion of the dopant are then carried out until a first film resistor region is obtained. The applied doping source is then structured, wherein only those regions (4) remain as a result of the structuring that substantially correspond to the sections on the wafer to be contacted later. Another, second diffusion from the remaining regions of the doping source into the wafer volume is then carried out until a second film resistor region for the selective emitter (4) and a simultaneous redistribution of the dopant (5) introduced during the first diffusion are obtained, having the goal of lowering the dopant concentration in the region near the surface that is no longer covered by the doping source, under the condition that the film resistor values of the first film resistor region are larger than those of the second film resistor region. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires à émetteur sélectif. Tout d'abord, des tranches (1) sans défaut de sciage sont préparées. Ensuite ont lieu une application de source de dopage (2) sur tout
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Solarzellen mit selektivem Emitter. Zunächst werden sägeschadenfreie Wafer (1) bereitgestellt. Es erfolgt dann ein vollflächiges Aufbringen einer Dotierquelle (2) auf den Wafer sowie ein leichtes, erstes Eindiffundieren des Dotanden bis zum Erreichen eines ersten Schichtwiderstandsbereichs. Hieran schließt sich eine Strukturierung der aufgebrachten Dotierquelle an, wobei im Ergebnis der Strukturierung nur solche Bereiche (4) verbleiben, die im Wesentlichen den später zu kontaktierenden Abschnitten auf dem Wafer entsprechen. Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs. The invention relates to a method for producing solar cells having a selective emitter. Wafers (1) having no saw damage are first provided. A full-surface application of a doping source (2) to the wafer and a light, first inward diffusion of the dopant are then carried out until a first film resistor region is obtained. The applied doping source is then structured, wherein only those regions (4) remain as a result of the structuring that substantially correspond to the sections on the wafer to be contacted later. Another, second diffusion from the remaining regions of the doping source into the wafer volume is then carried out until a second film resistor region for the selective emitter (4) and a simultaneous redistribution of the dopant (5) introduced during the first diffusion are obtained, having the goal of lowering the dopant concentration in the region near the surface that is no longer covered by the doping source, under the condition that the film resistor values of the first film resistor region are larger than those of the second film resistor region. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires à émetteur sélectif. Tout d'abord, des tranches (1) sans défaut de sciage sont préparées. Ensuite ont lieu une application de source de dopage (2) sur toute la surface de la tranche et une première diffusion légère du dopant jusqu'à ce qu'un premier domaine de résistance de couche soit atteint. Il intervient ensuite une structuration de la source de dopage appliquée, seules restant sur la tranche à la fin de la structuration les zones (4) qui correspondent sensiblement aux segments de contact à appliquer ultérieurement. On réalise une deuxième diffusion dans le volume de la tranche à partir des zones subsistantes de la source de dopage, jusqu'à ce que l'on atteigne un deuxième domaine de résistance de couche pour l'émetteur sélectif (4) et simultanément une répartition du dopant (5) introduit lors de la première diffusion, l'objectif étant de réduire la concentration de dopant dans la zone proche de la surface qui n'est plus recouverte de la source de dopage, étant précisé que les valeurs de résistance de couche du premier domaine de résistance de couche sont supérieures à celles du deuxième domaine de résistance de couche.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20101014&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010115730A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76304</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20101014&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010115730A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MEYER, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>LOSSEN, JAN</creatorcontrib><creatorcontrib>WUETHERICH, TOBIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>WEISS, MATHIAS</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SELECTIVE EMITTER</title><description>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. 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Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs. The invention relates to a method for producing solar cells having a selective emitter. Wafers (1) having no saw damage are first provided. A full-surface application of a doping source (2) to the wafer and a light, first inward diffusion of the dopant are then carried out until a first film resistor region is obtained. The applied doping source is then structured, wherein only those regions (4) remain as a result of the structuring that substantially correspond to the sections on the wafer to be contacted later. Another, second diffusion from the remaining regions of the doping source into the wafer volume is then carried out until a second film resistor region for the selective emitter (4) and a simultaneous redistribution of the dopant (5) introduced during the first diffusion are obtained, having the goal of lowering the dopant concentration in the region near the surface that is no longer covered by the doping source, under the condition that the film resistor values of the first film resistor region are larger than those of the second film resistor region. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires à émetteur sélectif. Tout d'abord, des tranches (1) sans défaut de sciage sont préparées. Ensuite ont lieu une application de source de dopage (2) sur toute la surface de la tranche et une première diffusion légère du dopant jusqu'à ce qu'un premier domaine de résistance de couche soit atteint. Il intervient ensuite une structuration de la source de dopage appliquée, seules restant sur la tranche à la fin de la structuration les zones (4) qui correspondent sensiblement aux segments de contact à appliquer ultérieurement. On réalise une deuxième diffusion dans le volume de la tranche à partir des zones subsistantes de la source de dopage, jusqu'à ce que l'on atteigne un deuxième domaine de résistance de couche pour l'émetteur sélectif (4) et simultanément une répartition du dopant (5) introduit lors de la première diffusion, l'objectif étant de réduire la concentration de dopant dans la zone proche de la surface qui n'est plus recouverte de la source de dopage, étant précisé que les valeurs de résistance de couche du premier domaine de résistance de couche sont supérieures à celles du deuxième domaine de résistance de couche.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLD0dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1cI9vdxDFJwdvXxCVbwcAwDC7n6uDqHeIa5Krj6eoaEuAbxMLCmJeYUp_JCaW4GZTfXEGcP3dSC_PjU4oLE5NS81JL4cH8jA0MDQ0NTc2MDR0Nj4lQBAC2yKZo</recordid><startdate>20101014</startdate><enddate>20101014</enddate><creator>MEYER, KARSTEN</creator><creator>LOSSEN, JAN</creator><creator>WUETHERICH, TOBIAS</creator><creator>WEISS, MATHIAS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20101014</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SELECTIVE EMITTER</title><author>MEYER, KARSTEN ; LOSSEN, JAN ; WUETHERICH, TOBIAS ; WEISS, MATHIAS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010115730A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MEYER, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>LOSSEN, JAN</creatorcontrib><creatorcontrib>WUETHERICH, TOBIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>WEISS, MATHIAS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MEYER, KARSTEN</au><au>LOSSEN, JAN</au><au>WUETHERICH, TOBIAS</au><au>WEISS, MATHIAS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SELECTIVE EMITTER</title><date>2010-10-14</date><risdate>2010</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. 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Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs. The invention relates to a method for producing solar cells having a selective emitter. Wafers (1) having no saw damage are first provided. A full-surface application of a doping source (2) to the wafer and a light, first inward diffusion of the dopant are then carried out until a first film resistor region is obtained. The applied doping source is then structured, wherein only those regions (4) remain as a result of the structuring that substantially correspond to the sections on the wafer to be contacted later. Another, second diffusion from the remaining regions of the doping source into the wafer volume is then carried out until a second film resistor region for the selective emitter (4) and a simultaneous redistribution of the dopant (5) introduced during the first diffusion are obtained, having the goal of lowering the dopant concentration in the region near the surface that is no longer covered by the doping source, under the condition that the film resistor values of the first film resistor region are larger than those of the second film resistor region. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires à émetteur sélectif. Tout d'abord, des tranches (1) sans défaut de sciage sont préparées. Ensuite ont lieu une application de source de dopage (2) sur toute la surface de la tranche et une première diffusion légère du dopant jusqu'à ce qu'un premier domaine de résistance de couche soit atteint. Il intervient ensuite une structuration de la source de dopage appliquée, seules restant sur la tranche à la fin de la structuration les zones (4) qui correspondent sensiblement aux segments de contact à appliquer ultérieurement. On réalise une deuxième diffusion dans le volume de la tranche à partir des zones subsistantes de la source de dopage, jusqu'à ce que l'on atteigne un deuxième domaine de résistance de couche pour l'émetteur sélectif (4) et simultanément une répartition du dopant (5) introduit lors de la première diffusion, l'objectif étant de réduire la concentration de dopant dans la zone proche de la surface qui n'est plus recouverte de la source de dopage, étant précisé que les valeurs de résistance de couche du premier domaine de résistance de couche sont supérieures à celles du deuxième domaine de résistance de couche.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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