METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS HAVING SELECTIVE EMITTER

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von. Solarzellen mit selektivem Emitter. Zunächst werden sägeschadenfreie Wafer (1) bereitgestellt. Es erfolgt dann ein vollflächiges Aufbringen einer Dotierquelle (2) auf den Wafer sowie ein leichtes, erstes Eindiffundieren des Dotanden bis zum Erreichen eines ersten Schichtwiderstandsbereichs. Hieran schließt sich eine Strukturierung der aufgebrachten Dotierquelle an, wobei im Ergebnis der Strukturierung nur solche Bereiche (4) verbleiben, die im Wesentlichen den später zu kontaktierenden Abschnitten auf dem Wafer entsprechen. Es erfolgt ein Ausführen einer weiteren, zweiten Diffusion aus den verbliebenen Bereichen der Dotierquelle in das Wafervolumen hinein bis zum Erzielen eines zweiten Schichtwiderstandsbereichs für den selektiven Emitter (4) sowie ein gleichzeitiges Umverteilen des bei der ersten Diffusion eingebrachten Dotanden (5) mit dem Ziel des Absenkens der Dotierkonzentration in dem oberflächennahen Bereich, welcher nicht mehr mit der Dotierquelle bedeckt ist, unter der Maßgabe, dass die Schichtwiderstandswerte des ersten Schichtwiderstandsbereichs größer sind als diejenigen des zweiten Schichtwiderstandsbereichs. The invention relates to a method for producing solar cells having a selective emitter. Wafers (1) having no saw damage are first provided. A full-surface application of a doping source (2) to the wafer and a light, first inward diffusion of the dopant are then carried out until a first film resistor region is obtained. The applied doping source is then structured, wherein only those regions (4) remain as a result of the structuring that substantially correspond to the sections on the wafer to be contacted later. Another, second diffusion from the remaining regions of the doping source into the wafer volume is then carried out until a second film resistor region for the selective emitter (4) and a simultaneous redistribution of the dopant (5) introduced during the first diffusion are obtained, having the goal of lowering the dopant concentration in the region near the surface that is no longer covered by the doping source, under the condition that the film resistor values of the first film resistor region are larger than those of the second film resistor region. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires à émetteur sélectif. Tout d'abord, des tranches (1) sans défaut de sciage sont préparées. Ensuite ont lieu une application de source de dopage (2) sur tout