METHODS FOR DEPOSITING LAYERS HAVING REDUCED INTERFACIAL CONTAMINATION

Methods of depositing layers having reduced interfacial contamination are disclosed herein. The inventive methods may advantageously reduce contamination at the interface between deposited layers, for example, between a deposited layer and an underlying substrate or film. In some embodiments, a method of depositing a layer may include annealing a silicon-containing layer having a first layer disposed thereon in a reducing atmosphere; removing the first layer using an etching process to expose the silicon-containing layer after annealing; and depositing a second layer on the exposed silicon-containing layer. La présente invention concerne des procédés de dépôt de couches présentant une contamination interfaciale réduite. Les procédés de l'invention permettent avantageusement de réduire la contamination au niveau de l'interface entre couches déposées, par exemple entre une couche déposée et un substrat ou un film sous-jacent. Dans certains modes de réalisation, un procédé de dépôt de couche peut comprendre les étapes suivantes : le recuit d'une couche, qui contient de la silicone et sur laquelle est disposée une première couche, en atmosphère réductrice; le retrait de la première couche en utilisant un processus de décapage pour exposer la couche contenant de la silicone après le recuit; et le dépôt d'une seconde couche sur la couche exposée contenant de la silicone.