WEB SUBSTRATE DEPOSITION SYSTEM

A web substrate atomic layer deposition system includes at least one roller that transports a surface of a web substrate through a plurality of processing chambers. The plurality of processing chambers includes a first precursor reaction chamber that exposes the surface of the web substrate to a des...

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1. Verfasser: SFERLAZZO, PIERO
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A web substrate atomic layer deposition system includes at least one roller that transports a surface of a web substrate through a plurality of processing chambers. The plurality of processing chambers includes a first precursor reaction chamber that exposes the surface of the web substrate to a desired partial pressure of first precursor gas, thereby forming a first layer on the surface of the web substrate. A purging chamber purges the surface of the web substrate with a purge gas. A vacuum chamber removes gas from the surface of the substrate. A second precursor reaction chamber exposes the surface of the web substrate to a desired partial pressure of the second precursor gas, thereby forming a second layer on the surface of the web substrate. La présente invention concerne un système de dépôt de couche atomique pour substrat de toile, comprenant au moins un rouleau qui transporte une surface d'un substrat de toile à travers une pluralité de chambres de traitement. La pluralité de chambres de traitement comprend une première chambre de réaction à précurseur qui expose la surface du substrat de toile à une pression partielle souhaitée d'un premier gaz précurseur, formant de ce fait une première couche sur la surface du substrat de toile. Une chambre de purge purge la surface du substrat de toile avec un gaz de purge. Une chambre à vide retire le gaz de la surface du substrat. Une seconde chambre de réaction à précurseur expose la surface du substrat de toile à une pression partielle souhaitée du second gaz précurseur, formant de ce fait une seconde couche sur la surface du substrat de toile.