METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS USING DOPING TECHNIQUES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte sele...
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|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| creator | MEYER, KARSTEN WEIS, MATHIAS LOSSEN, JAN WUETHERICH, TOBIAS |
| description | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte selektiv dotierte Struktur mittels einer infrarotempfindlichen Kameraeinrichtung in ihrer Position im Substrat ermittelt und die so aufgefundene Position unmittelbar oder mittelbar für die Justage des folgenden Prozessierungsschritts genutzt.
The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step.
L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante. |
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The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step.
L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante.</description><language>eng ; fre ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; MEASURING ; MEASURING ELECTRIC VARIABLES ; MEASURING MAGNETIC VARIABLES ; PHYSICS ; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE ; TESTING</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110428&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2010099998A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76304</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110428&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2010099998A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MEYER, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>WEIS, MATHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>LOSSEN, JAN</creatorcontrib><creatorcontrib>WUETHERICH, TOBIAS</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS USING DOPING TECHNIQUES</title><description>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte selektiv dotierte Struktur mittels einer infrarotempfindlichen Kameraeinrichtung in ihrer Position im Substrat ermittelt und die so aufgefundene Position unmittelbar oder mittelbar für die Justage des folgenden Prozessierungsschritts genutzt.
The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step.
L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING ELECTRIC VARIABLES</subject><subject>MEASURING MAGNETIC VARIABLES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD1dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1cIdvX1dPb3A_JCgOLO_r4B_n6ufiHBCqHBIGkX_wAQFeLq7OHnGRjqGszDwJqWmFOcyguluRmU3VxDnD10Uwvy41OLCxKTU_NSS-LD_Y0MDA0MLIHAwtHYmDhVAHH8LZY</recordid><startdate>20110428</startdate><enddate>20110428</enddate><creator>MEYER, KARSTEN</creator><creator>WEIS, MATHIAS</creator><creator>LOSSEN, JAN</creator><creator>WUETHERICH, TOBIAS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110428</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS USING DOPING TECHNIQUES</title><author>MEYER, KARSTEN ; WEIS, MATHIAS ; LOSSEN, JAN ; WUETHERICH, TOBIAS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010099998A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; ger</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING ELECTRIC VARIABLES</topic><topic>MEASURING MAGNETIC VARIABLES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MEYER, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>WEIS, MATHIAS</creatorcontrib><creatorcontrib>LOSSEN, JAN</creatorcontrib><creatorcontrib>WUETHERICH, TOBIAS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MEYER, KARSTEN</au><au>WEIS, MATHIAS</au><au>LOSSEN, JAN</au><au>WUETHERICH, TOBIAS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS USING DOPING TECHNIQUES</title><date>2011-04-28</date><risdate>2011</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte selektiv dotierte Struktur mittels einer infrarotempfindlichen Kameraeinrichtung in ihrer Position im Substrat ermittelt und die so aufgefundene Position unmittelbar oder mittelbar für die Justage des folgenden Prozessierungsschritts genutzt.
The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step.
L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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