METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS USING DOPING TECHNIQUES

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken, wobei während der Prozessierung eine Abfolge von Schichten erzeugt wird, welche exakt zueinander zu positionieren sind. Erfindungsgemäß wird eine im Halbleitersubstrat erzeugte selektiv dotierte Struktur mittels einer infrarotempfindlichen Kameraeinrichtung in ihrer Position im Substrat ermittelt und die so aufgefundene Position unmittelbar oder mittelbar für die Justage des folgenden Prozessierungsschritts genutzt. The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step. L'invention concerne un procédé pour produire des composants semi-conducteurs à l'aide de techniques de dopage, une série de couches étant générée pendant le traitement et ces couches devant être positionnées entre elles avec précision. Selon l'invention, la position d'une structure sélectivement dopée, générée dans le substrat semi-conducteur est déterminée, au moyen d'un dispositif de caméra sensible aux infrarouges, la position ainsi détectée étant utilisée de manière directe ou indirecte pour l'alignement lors de l'étape de traitement suivante.