ULTRA LOW POST EXPOSURE BAKE PHOTORESIST MATERIALS

Polymers comprising a first methacrylate monomer having a pendent spacer between the polymer backbone and an acid-liable acetal group, a second methacrylate monomer having a pendent group including a fluorinated alkyl group and a third methacrylate monomer having a pendent hydrocarbon group. Photoresist formulations include the polymers, a photoacid generator and a casting solvent. Methods of patterning photoresist films formed from the photoresist formulations are characterized by post-exposure bakes at temperatures of about 60°C or less. L'invention porte sur des polymères qui comportent un premier monomère méthacrylate ayant un groupe d'intercalation pendant entre le squelette du polymère et un groupe acétal sensible à un acide, un deuxième monomère méthacrylate ayant un groupe pendant qui comprend un groupe alkyle fluoré et un troisième monomère méthacrylate ayant un groupe hydrocarboné pendant. L'invention porte également sur des formulations de résine photosensible comprenant les polymères, un générateur d'acide photosensible et un solvant de coulage. L'invention porte également sur des procédés de formation de motif sur des films de résine photosensible, formés à partir des formulations de résine photosensible, caractérisés par des cuissons après exposition à des températures inférieures ou égales à environ 60°C.