METHOD AND SYSTEM FOR REMOVAL OF A SURFACE LAYER OF A SILICON SOLAR CELL SUBSTRATE

A method of manufacturing a solar cell from a silicon wafer includes -formation of a dopant containing silicon layer, based on doping with dopant from a diffusion source, on at least one side of the silicon wafer, by exposing the at least one side of the silicon wafer to a dopant containing substance from the diffusion source, the dopant containing silicon layer comprising an upper layer of an ineffective conductive silicon layer having a relatively high concentration of dopant and a lower buried layer of a conductive silicon layer having a lower concentration of dopant, -back-etching of the dopant containing silicon layer by a back-etch etchant, the back- etch etchant having a first component and a second component, the back-etching comprising an oxidation reaction to transform a top layer of the dopant containing silicon layer into an oxide top layer by the first component and a dissolution reaction to remove the oxide top layer by the second component; the dissolution reaction being rate-limiting in the back-etch process. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire à partir d'une plaquette de silicium. Ce procédé consiste : à former une couche de silicium contenant un dopant, par dopage au moyen d'un dopant provenant d'une source de diffusion, sur au moins un côté de la plaquette, et par exposition dudit côté de la plaquette de silicium à une substance contenant un dopant, provenant de la source de diffusion, la couche de silicium contenant un dopant comprenant une couche supérieure de silicium non conductrice présentant une concentration relativement élevée de dopant et une couche inférieure de silicium,encastrée et conductrice, présentant une concentration inférieure de dopant; à rétro-graver la couche de silicium contenant un dopant au moyen d'un agent de rétro-gravure, ce dernier contenant un premier et un deuxième composant, la rétro-gravure comprenant une réaction d'oxydation destinée à transformer une couche supérieure de silicium contenant un dopant en une couche supérieure d'oxyde au moyen du premier composant et une réaction de dissolution destinée à éliminer la couche supérieure d'oxyde au moyen du deuxième composant, cette réaction de dissolution limitant la vitesse du processus de rétro-gravure.