METHODS FOR FABRICATING MOS DEVICES HAVING EPITAXIALLY GROWN STRESS-INDUCING SOURCE AND DRAIN REGIONS

Methods of fabricating a semiconductor device (100) on and in a semiconductor substrate (110) having a first region (180) and a second region (200) are provided. In accordance with an exemplary embodiment of the invention, a method comprises forming a first gate stack (124) overlying the first region (180) and a second gate stack (128) overlying the second region (200), etching into the substrate (110) first recesses (142) and second recesses (142), the first recesses (142) aligned at least to the first gate stack (124) in the first region (180), and the second recesses (142) aligned at least to the second gate stack (128) in the second region (200), epitaxially growing a first stress-inducing monocrystalline material (150) in the first and second recesses (142), removing the first stress-inducing monocrystalline material (150) from the first recesses (142), and epitaxially growing a second stress-inducing monocrystalline material (170) in the first recesses (142), wherein the second stress-inducing monocrystalline material (170) has a composition different from the first stress-inducing monocrystalline material (150). L'invention concerne des procédés de fabrication d'un dispositif semi-conducteur (100) sur et dans un substrat semi-conducteur (110) qui présente une première région (180) et une seconde région (200). Selon un mode de réalisation cité à titre d'exemple dans l'invention, un procédé consiste à former un premier empilement de grilles (124) recouvrant la première région (180) et un second empilement de grilles (128) recouvrant la seconde région (200), à graver dans le substrat (110) de premiers creux (142) et de seconds creux (142), les premiers creux (142) étant alignés au moins sur le premier empilement de grilles (124) de la première région (180) et les seconds creux (142) étant alignés au moins sur le second empilement de grilles (128) de la seconde région (200), à permettre la croissance épitaxiale d'un premier matériau monocristallin induisant une contrainte (150) dans les premiers et seconds creux (142), à éliminer le premier matériau monocristallin induisant une contrainte (150) des premiers creux (142), et à permettre la croissance épitaxiale d'un second matériau monocristallin induisant une contrainte (170) dans les premiers creux (142), le second matériau monocristallin induisant une contrainte (170) possédant une composition différente de celle du premier matériau monocristallin induisant une contrainte (150).