DIFFUSION BARRIER LAYERS

Provided are methods and apparatuses for depositing barrier layers for blocking diffusion of conductive materials from conductive lines into dielectric materials in integrated circuits. The barrier layer may contain copper. In some embodiments, the layers have conductivity sufficient for direct electroplating of conductive materials without needing intermediate seed layers. Such barrier layers may be used with circuits lines that are less than 65 nm wide and, in certain embodiments, less than 40 nm wide. The barrier layer may be passivated to form easily removable layers including sulfides, selenides, and / or tellurides of the materials in the layer. La présente invention a pour objet des procédés et des appareils permettant de déposer des couches de barrière pour bloquer la diffusion de matériaux conducteurs à partir de lignes conductrices dans des matériaux diélectriques dans des circuits intégrés. La couche de barrière peut contenir du cuivre. Dans certains modes de réalisation, les couches ont une conductivité suffisante pour l'électrodéposition directe de matériaux conducteurs sans nécessité de couches de germe intermédiaires. De telles couches de barrière peuvent être utilisées avec des lignes de circuits qui sont inférieures à 65 nm de largeur et, dans certains modes de réalisation, inférieures à 40 nm de largeur. La couche de barrière peut être passivée pour former des couches aisément amovibles comprenant des sulfures, des sélénures, et / ou des tellurures des matériaux dans la couche.