METHODS FOR SIMULTANEOUSLY FORMING DOPED REGIONS HAVING DIFFERENT CONDUCTIVITY-DETERMINING TYPE ELEMENT PROFILES
Method for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type elements profiles are provided. In one exemplary embodiment, a method comprises the steps of diffusing first conductivity-determining type elements into a first region of a semiconductor material from a fi...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Method for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type elements profiles are provided. In one exemplary embodiment, a method comprises the steps of diffusing first conductivity-determining type elements into a first region of a semiconductor material from a first dopant to form a doped first region. Second conductivity-determining type elements are simultaneously diffused into a second region of the semiconductor material from a second dopant to form a doped second region. The first conductivity-determining type elements are of the same conductivity-determining type as the second conductivity-determining type elements. The doped first region has a dopant profile that is different from a dopant profile of the doped second region.
La présente invention porte sur un procédé de formation simultanée de régions dopées dotées de profils d'éléments de type à détermination de conductivité différents. Dans un mode de réalisation illustratif, un procédé comprend les étapes consistant à diffuser des premiers éléments de type à détermination de conductivité dans une première région d'un matériau semi-conducteur à partir d'un premier dopant pour former une première région dopée. Des seconds éléments de type à détermination de conductivité sont simultanément diffusés dans une seconde région du matériau semi-conducteur à partir d'un second dopant pour former une seconde région dopée. Les premiers éléments de type à détermination de conductivité sont du même type à détermination de conductivité que les seconds éléments de type à détermination de conductivité. La première région dopée présente un profil de dopant qui est différent d'un profil de dopant de la seconde région dopée. |
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