FABRICATING A GALLIUM NITRIDE LAYER WITH DIAMOND LAYERS

In one aspect, a method includes fabricating a gallium nitride (GaN) layer with a first diamond layer having a first thermal conductivity and a second diamond layer having a second thermal conductivity greater than the first thermal conductivity. The fabricating includes using a microwave plasma che...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BERNSTEIN, STEVEN, D, KORENSTEIN, RALPH, PEREIRA, STEPHEN, J
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	In one aspect, a method includes fabricating a gallium nitride (GaN) layer with a first diamond layer having a first thermal conductivity and a second diamond layer having a second thermal conductivity greater than the first thermal conductivity. The fabricating includes using a microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) process to deposit the second diamond layer onto the first diamond layer. Le procédé selon l'invention comprend la fabrication d'une couche de nitrure de gallium (GaN) avec une première couche de diamant dotée d'une première conductivité thermique et une seconde couche de diamant dotée d'une seconde conductivité thermique supérieure à la première conductivité thermique. La fabrication comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma micro-ondes afin de déposer la seconde couche de diamant sur la première couche de diamant.