METHOD AND DEVICE FOR MEMORY CELL DIAGNOSIS

A memory cell diagnostic method is provided for testing the writing and reading of data to and from each of a plurality of memory cells (200 to 204) in synchronization with a clock. The method includes a writing step of performing sequential writing to target addresses of the target memory cell (200...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KAWASOE, NOBUAKI, MIGITA, KOJI, UMEZAKI, YASUYUKI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:A memory cell diagnostic method is provided for testing the writing and reading of data to and from each of a plurality of memory cells (200 to 204) in synchronization with a clock. The method includes a writing step of performing sequential writing to target addresses of the target memory cell (200) while shifting a memory cell to be written and an address to be written for each clock cycle and a matching step of reading the data from an address already written in the writing step of the memory cell (200) which is not being written in the writing step and matching the read data with the data recorded in the address of the memory cell (200) in the writing step for each clock cycle. L'invention porte sur un procédé de diagnostic de cellule mémoire pour tester l'écriture et la lecture de données sur et à partir de chacune d'une pluralité de cellules mémoires (200 à 204) en synchronisation avec une horloge. Le procédé comprend une étape d'écriture consistant à effectuer une écriture séquentielle sur des adresses cibles de la cellule mémoire cible (200) tout en décalant une cellule mémoire devant être écrite et une adresse devant être écrite pour chaque cycle d'horloge, et une étape de mise en correspondance consistant à lire les données à partir d'une adresse déjà écrite dans l'étape d'écriture de la cellule mémoire (200) qui n'est pas en cours d'écriture dans l'étape d'écriture, et à mettre en correspondance les données de lecture avec les données enregistrées dans l'adresse de la cellule mémoire (200) dans l'étape d'écriture pour chaque cycle d'horloge.