A METHOD OF PRODUCING A SILICON-ON-SAPPHIRE TYPE HETEROSTRUCTURE

The invention provides a method of producing a heterostructure of the silicon-on-sapphire type, comprising bonding an SOI substrate (110) onto a sapphire substrate (120) and thinning the SOI substrate, thinning being carried out by grinding followed by etching of the SOI substrate (110). In accordance with the method, grinding is carried out using a wheel (210) with a grinding surface (211) that comprises abrasive particles having a mean dimension of more than 6.7 urn; further, after grinding and before etching, said method comprises a step of post-grinding annealing of the heterostructure carried out at a temperature in the range 150 °C to 170 °C. L'invention concerne un procédé de production d'une hétérostructure de type silicium sur saphir, consistant à lier un substrat en SOI (110) sur un substrat de saphir (120), et à amincir le substrat en SOI, l'amincissement étant réalisé par un broyage suivi d'une gravure du substrat en SOI (110). Selon le procédé, le broyage est réalisé au moyen d'une roue (210) avec une surface de broyage (211) qui comprend des particules abrasives dont la dimension moyenne est supérieure à 6,7 µm; en outre, après le broyage et avant la gravure, ledit procédé comprend une étape consistant à une recuisson post-broyage de l'hétérostructure réalisée à une température comprise entre 150 °C et 170 °C.