TRANSPARENT MEMORY FOR TRANSPARENT ELECTRONIC DEVICE

The present invention relates to a transparent memory for a transparent electronic device. The transparent memory includes: a lower transparent electrode layer that is sequentially formed on a transparent substrate, and a data storage region and an upper transparent layer which are made of at least one transparent resistance-variable material layer. The transparent resistance-variable material layer has switching characteristics as a result of the resistance variance caused by the application of a certain voltage between the lower and upper transparent electrode layers. An optical band gap of the transparent resistance-variable material layer is 3 eV or more, and transmittivity of the material layer for visible rays is 80% or more. The invention provides transparent and resistance-variable memory that: has very high transparency and switching characteristics depending on resistance variation at a low switching voltage, and can maintain the switching characteristics thereof after a long time elapses. L'invention concerne une mémoire transparente pour un dispositif électronique transparent. La mémoire transparente comprend : une couche d'électrode inférieure transparente qui est formée de manière séquentielle sur un substrat transparent, et une zone de stockage de données et une couche supérieure transparente constituées d'au moins une couche de matériau transparent à résistance variable. La couche de matériau transparent à résistance variable présente des caractéristiques de commutation dues à la variation de résistance produite par l'application d'une certaine tension entre les couches d'électrode transparentes inférieure et supérieure. Une largeur de bande optique de la couche de matériau transparent à résistance variable est égale ou supérieure à 3 eV et la transmittivité de la couche de matériau pour le rayonnement visible est égale ou supérieure à 80 %. L'invention procure une mémoire transparente et à résistance variable dotée d'une transparence très élevée et de caractéristiques de commutation en fonction de la variation de la résistance à une faible tension de commutation et qui peut conserver ses caractéristiques de commutation pendant longtemps.