AMPLIFIER WITH IMPROVED ESD PROTECTION CIRCUITRY

An amplifier (e.g., an LNA) with improved ESD protection circuitry is described. In one exemplary design, the amplifier includes a transistor (410), an inductor (412), and a clamp circuit (422). The transistor (410) has a gate coupled to a pad (450) and provides signal amplification for the amplifier. The inductor (412) is coupled to a source of the transistor (410) and provides source degeneration for the transistor (410). The clamp circuit (422) is coupled between the gate and source of the transistor (410) and provides ESD protection for the transistor (410). The clamp circuit (422) may include al least one diode coupled between the gale and source of the transistor (410). The clamp circuit (422) conducts current through the inductor (412) to generate a voltage drop across the inductor (412) when a large voltage pulse is applied to the pad (450). The gate-to-source voltage (Vgs) of the transistor (410) is reduced by the voltage drop across the inductor (412), which may improve the reliability of the transistor (410). Cette invention concerne un amplificateur (tel qu'un amplificateur à faible bruit/LNA) doté de circuits de protection améliorés contre les décharges électrostatiques. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, l'amplificateur comprend un transistor (410), une bobine d'induction (412) et un circuit de limitation (422). Le transistor (410) comporte une grille couplée à un plot (450) et assure une amplification du signal pour l'amplificateur. La bobine d'induction (412) est couplée à une source du transistor (412) et fournit une contre-réaction de la source pour le transistor (410). Le circuit de limitation (402) peut comprendre au moins une diode couplée entre la grille et la source du transistor (410) et protège le transistor (410) contre les décharges électrostatiques. Le circuit de limitation (422) conduit le courant à travers la bobine d'induction (422) et crée une baisse de tension aux bornes de la bobine (412) lorsqu'une forte décharge électrique est appliquée sur le plot (450). La tension grille-source est réduite par la baisse de tension aux bornes de la bobine (412), ce qui peut améliorer la fiabilité du transistor (410).