IMPROVING DARK CURRENTS AND REDUCING DEFECTS IN IMAGE SENSORS AND PHOTOVOLTAIC JUNCTIONS

Dark currents within a photosensitive device are reduced through improved implantation of a species during its fabrication. Dark currents can be caused by defects in the photo-diode device, caused during the annealing, implanting or other processing steps used during fabrication. By amorphizing the workpiece in the photo-diode region, the number of defects can be reduced thereby reducing this cause of dark current. Dark current is also caused by stress induced by an adjacent STI, where the stress caused by the liner and fill material exacerbate defects in the workpiece. By amorphizing the sidewalls and bottom surface of the trench, defects created during the etching process can be reduced. This reduction in defects also decreases dark current in the photosensitive device. Selon l'invention, des courants d'obscurité dans un dispositif photosensible sont réduits par le biais d'une implantation améliorée d'une espèce au cours de sa fabrication. Les courants d'obscurité peuvent être causés par des défauts dans le dispositif de photodiode, causés au cours du recuit, de l'implantation ou d'autres étapes de traitement utilisées pendant la fabrication. Par l'amorphisation de la pièce dans la région de la photodiode, le nombre de défauts peut être réduit, ce qui réduit cette cause du courant d'obscurité. Le courant d'obscurité est également causé par une contrainte induite par une STI adjacente, la contrainte causée par la garniture et le matériau de remplissage exacerbant les défauts de la pièce. Par l'amorphisation des parois latérales et de la surface inférieure de la tranchée, les défauts créés au cours du procédé de gravure peuvent être réduits. Cette réduction des défauts diminue également le courant d'obscurité dans le dispositif photosensible.