METHOD FOR SELECTIVELY RETRIEVING COLUMN REDUNDANCY DATA IN MEMORY DEVICE
Column redundancy data is selectively retrieved in a memory device according to a set of storage elements which is currently being accessed, such as in a read or write operation. The memory device is organized into sets of storage elements such as logical blocks, where column redundancy data is load...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Column redundancy data is selectively retrieved in a memory device according to a set of storage elements which is currently being accessed, such as in a read or write operation. The memory device is organized into sets of storage elements such as logical blocks, where column redundancy data is loaded from a non-volatile storage location to a volatile storage location for one or more particular blocks which are being accessed. The volatile storage location need only be large enough to store the current data entries. The size of the set of storage elements for which column redundancy data is concurrently loaded can be configured based on an expected maximum number of defects and a desired repair probability. During a manufacturing lifecycle, the size of the set can be increased as the number of defects is reduced due to improvements in manufacturing processes and materials.
Des données de redondance en colonnes sont retrouvées sélectivement dans un dispositif de mémoire en fonction d'un ensemble d'éléments de mémoire en cours d'accès, comme c'est le cas pendant une opération de lecture ou d'écriture. Le dispositif de mémoire est organisé en ensembles d'éléments de mémoire, tels que des blocs logiques, dans lesquels des données de redondance en colonnes sont chargées depuis un emplacement de mémoire non volatil jusqu'en un emplacement de mémoire volatil pour un ou plusieurs blocs particuliers en cours d'accès. L'emplacement de mémoire volatil doit simplement être assez grand pour mémoriser les entrées de données actuelles. La taille de l'ensemble d'éléments de mémoire pour lequel les données de redondance en colonnes sont simultanément chargées peut être configurée sur la base d'un nombre maximum attendu de défauts et d'une probabilité de réparation désirée. Pendant un cycle de fabrication, la taille de l'ensemble peut être agrandie à mesure que le nombre de défauts diminue du fait des améliorations apportées aux matériaux et aux processus de fabrication. |
---|