SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE
A photovoltaic module 1 is a glass-glass thin film solar cell. It comprises a transparent glass substrate 2 arranged on the front side of the module 1, i.e. in the direction of the light source. A layer system 3 is deposited on the substrate which comprises a front electrode layer 4, e.g. a TCO laye...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A photovoltaic module 1 is a glass-glass thin film solar cell. It comprises a transparent glass substrate 2 arranged on the front side of the module 1, i.e. in the direction of the light source. A layer system 3 is deposited on the substrate which comprises a front electrode layer 4, e.g. a TCO layer, an active semiconductor layer 5 and a second electrode layer 6, which may also be a TCO (transparent conductive oxide) layer. The active semiconductor layer 5 comprises semiconducting areas of different conductivity type and a junction between these areas. The junction may be a p-n or a p-i-n junction between a p-doped area and an n-doped area. The layer system 3 is sandwiched between the glass substrate 2 and a glass encapsulation element 7. The glass encapsulation element 7 is bonded to the substrate 1 and the layer system 3, re¬ spectively, by means of a bonding layer 8. According to the invention the bonding layer 8 is configured as a white lambertian back reflector. It may consist of a PVB (poly vinyl butyral) or a silicone material layer and an appropriate dye or pigment, e.g. titanium-dioxide, embed- ded in the PVB or silicone material layer.
Le module photovoltaïque selon l'invention 1 est une cellule solaire à couche mince verre-verre. Il comprend un substrat de verre transparent 2 disposé sur la face frontale du module 1, c.-à-d. dans la direction de la source de lumière. Un système de couches 3 est déposé sur le substrat qui comprend une couche d'électrode avant 4, par ex. une couche TCO, une couche semi-conductrice active 5 et une deuxième couche d'électrode 6 qui peut aussi être une couche TCO (oxyde conducteur transparent). La couche semi-conductrice active 5 comprend des zones semi-conductrices de différent type de conductivité et une jonction entre ces zones. La jonction peut être une jonction p-n ou p-i-n entre une zone dopée p et une zone dopée n. Le système de couches 3 est intercalé entre le substrat de verre 2 et un élément d'encapsulation en verre 7. L'élément d'encapsulation en verre 7 est lié au substrat 1 et au système de couches 3, respectivement, au moyen d'une couche de liaison 8. Selon l'invention la couche de liaison 8 est configurée comme un réflecteur lambertien arrière blanc. Il peut consister en une couche de PVB (polyvinylbutyral) ou de matériau silicone et d'un colorant ou d'un pigment approprié, par ex. du dioxyde de titane, dans la couche de PVB ou de matériau silicone. |
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