METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE
The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an i...
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| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | ALIE, SUSAN SAYLOR, STEPHEN |
| description | The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization.
La présente invention a pour objet la préparation d'un substrat semi-conducteur et la métallisation d'une zone de contact sur le substrat pour produire un contact dans un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à prétraiter le substrat par traitement laser ultrarapide d'une zone de contact, et à déposer une couche d'interconnexion en métal sur la zone de contact pour créer un contact. Le procédé peut comprendre, avant le traitement laser et la métallisation, une étape consistant à déposer une couche d'un matériau de type diélectrique sur le substrat et à enlever du substrat une partie du matériau diélectrique pour faire apparaître une zone de contact. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2010042121A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2010042121A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2010042121A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDDxdQ3x8HdRcPMPUnD29wtxdA4BsX0dQzz9_RQ8_RSCXX09gRIuoc4hQCUurmGezq48DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwNDAwMTI0MjQ0dCYOFUAYjMoLg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE</title><source>esp@cenet</source><creator>ALIE, SUSAN ; SAYLOR, STEPHEN</creator><creatorcontrib>ALIE, SUSAN ; SAYLOR, STEPHEN</creatorcontrib><description>The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization.
La présente invention a pour objet la préparation d'un substrat semi-conducteur et la métallisation d'une zone de contact sur le substrat pour produire un contact dans un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à prétraiter le substrat par traitement laser ultrarapide d'une zone de contact, et à déposer une couche d'interconnexion en métal sur la zone de contact pour créer un contact. Le procédé peut comprendre, avant le traitement laser et la métallisation, une étape consistant à déposer une couche d'un matériau de type diélectrique sur le substrat et à enlever du substrat une partie du matériau diélectrique pour faire apparaître une zone de contact.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100415&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2010042121A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100415&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2010042121A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ALIE, SUSAN</creatorcontrib><creatorcontrib>SAYLOR, STEPHEN</creatorcontrib><title>METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE</title><description>The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization.
La présente invention a pour objet la préparation d'un substrat semi-conducteur et la métallisation d'une zone de contact sur le substrat pour produire un contact dans un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à prétraiter le substrat par traitement laser ultrarapide d'une zone de contact, et à déposer une couche d'interconnexion en métal sur la zone de contact pour créer un contact. Le procédé peut comprendre, avant le traitement laser et la métallisation, une étape consistant à déposer une couche d'un matériau de type diélectrique sur le substrat et à enlever du substrat une partie du matériau diélectrique pour faire apparaître une zone de contact.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDxdQ3x8HdRcPMPUnD29wtxdA4BsX0dQzz9_RQ8_RSCXX09gRIuoc4hQCUurmGezq48DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwNDAwMTI0MjQ0dCYOFUAYjMoLg</recordid><startdate>20100415</startdate><enddate>20100415</enddate><creator>ALIE, SUSAN</creator><creator>SAYLOR, STEPHEN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100415</creationdate><title>METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE</title><author>ALIE, SUSAN ; SAYLOR, STEPHEN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010042121A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ALIE, SUSAN</creatorcontrib><creatorcontrib>SAYLOR, STEPHEN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ALIE, SUSAN</au><au>SAYLOR, STEPHEN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE</title><date>2010-04-15</date><risdate>2010</risdate><abstract>The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization.
La présente invention a pour objet la préparation d'un substrat semi-conducteur et la métallisation d'une zone de contact sur le substrat pour produire un contact dans un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à prétraiter le substrat par traitement laser ultrarapide d'une zone de contact, et à déposer une couche d'interconnexion en métal sur la zone de contact pour créer un contact. Le procédé peut comprendre, avant le traitement laser et la métallisation, une étape consistant à déposer une couche d'un matériau de type diélectrique sur le substrat et à enlever du substrat une partie du matériau diélectrique pour faire apparaître une zone de contact.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; fre |
| recordid | cdi_epo_espacenet_WO2010042121A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-03T17%3A23%3A52IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=ALIE,%20SUSAN&rft.date=2010-04-15&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2010042121A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |