METHOD FOR CONTACT FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE

The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization. La présente invention a pour objet la préparation d'un substrat semi-conducteur et la métallisation d'une zone de contact sur le substrat pour produire un contact dans un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à prétraiter le substrat par traitement laser ultrarapide d'une zone de contact, et à déposer une couche d'interconnexion en métal sur la zone de contact pour créer un contact. Le procédé peut comprendre, avant le traitement laser et la métallisation, une étape consistant à déposer une couche d'un matériau de type diélectrique sur le substrat et à enlever du substrat une partie du matériau diélectrique pour faire apparaître une zone de contact.