METHODS FOR SIMULTANEOUSLY FORMING N-TYPE AND P-TYPE DOPED REGIONS USING NON-CONTACT PRINTING PROCESSES

Methods for simultaneously forming doped regions of opposite conductivity using non-contact printing processes are provided. In one exemplary embodiment, a method comprises the steps of depositing a first liquid dopant comprising first conductivity-determining type dopant elements overlying a first...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FAN, WENYA, DING, ZHE, LEUNG, ROGER YU-KWAN, RUTHERFORD, NICOLE, BHANAP, ANIL
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Methods for simultaneously forming doped regions of opposite conductivity using non-contact printing processes are provided. In one exemplary embodiment, a method comprises the steps of depositing a first liquid dopant comprising first conductivity-determining type dopant elements overlying a first region of a semiconductor material and depositing a second liquid dopant comprising second conductivity-determining type dopant elements overlying a second region of the semiconductor material. The first conductivity-determining type dopant elements and the second conductivity-determining type dopant elements are of opposite conductivity. At least a portion of the first conductivity-determining type dopant elements and at least a portion of the second conductivity-determining type dopant elements are simultaneously diffused into the first region and into the second region, respectively. L'invention concerne des procédés visant à former simultanément des régions dopées de conductivité opposée par des processus d'impression sans contact. Dans un mode de réalisation représentatif, un procédé selon l'invention comporte les étapes consistant à déposer un premier dopant liquide comprenant des éléments dopants déterminant un premier type de conductivité de façon à recouvrir une première région d'un matériau semiconducteur et à déposer un deuxième dopant liquide comprenant des éléments dopants déterminant un deuxième type de conductivité de façon à recouvrir une deuxième région du matériau semiconducteur. Les éléments dopants déterminant le premier type de conductivité et les éléments dopants déterminant le deuxième type de conductivité sont de conductivité opposée. Au moins une partie des éléments dopants déterminant le premier type de conductivité et au moins une partie des éléments dopants déterminant le deuxième type de conductivité sont diffusées simultanément, respectivement dans la première région et dans la deuxième région.