ROBUST HIGH ASPECT RATIO SEMICONDUCTOR DEVICE

The invention relates to an semiconductor device comprising a first surface and neighboring first and second electric elements arranged on the first surface, in which each of the first and second elements extends from the first surface in a first direction, the first element having a cross section substantially perpendicular to the first direction and a sidewall surface extending at least partially in the first direction, wherein the sidewall surface comprises a first section and a second section adjoining the first section along a line extending substantially parallel to the first direction, wherein the first and second sections are placed at an angle with respect to each other for providing an inner corner wherein the sidewall surface at the inner corner is, at least partially, arranged at a constant distance R from a facing part of the second element for providing a mechanical reinforcement structure at the inner corner. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une première surface et des premier et second éléments électriques adjacents agencés sur la première surface, chacun des premier et second éléments s'étendant depuis la première surface dans une première direction. Le premier élément présente une section transversale sensiblement perpendiculaire à la première direction et une surface de paroi latérale s'étendant au moins partiellement dans la première direction, la surface de paroi latérale comprenant une première section et une seconde section contiguë à la première section le long d'une ligne s'étendant de manière sensiblement parallèle à la première direction. Les première et seconde sections sont placées selon un certain angle l'une par rapport à l'autre afin de former un coin, la surface de paroi latérale sur le coin interne étant au moins partiellement agencée à une distance constante R d'une partie opposée du second élément, afin de fournir une structure de renfort mécanique sur le coin interne.