ETCH REACTOR SUITABLE FOR ETCHING HIGH ASPECT RATIO FEATURES

Embodiments of the invention provide a method and apparatus that enables plasma etching of high aspect ratio features. In one embodiment, a method for etching is provided that includes providing a substrate having a patterned mask disposed on a silicon layer in an etch reactor, providing a gas mixture of the reactor, maintaining a plasma formed from the gas mixture, wherein bias power and RF power provided the reactor are pulsed, and etching the silicon layer in the presence of the plasma. L'invention concerne, dans certains de ses modes de réalisation, un procédé et un appareil permettant la gravure au plasma d'entités à facteur de forme élevé. L'un des modes de réalisation concerne un procédé de gravure comportant les étapes consistant à mettre en place un substrat doté d'un masque texturé disposé sur une couche de silicium dans un réacteur de gravure, à introduire un mélange de gaz dans le réacteur, à entretenir un plasma formé à partir du mélange de gaz, la puissance de polarisation et la puissance RF appliquées au réacteur étant pulsées, et à graver la couche de silicium en présence du plasma.