METHODS OF MAKING AN EMITTER HAVING A DESIRED DOPANT PROFILE

A method for obtaining a desired dopant profile of an emitter for a solar cell which includes depositing a first amorphous silicon layer having a first doping level over an upper surface of the crystalline silicon substrate, depositing a second amorphous silicon layer having a second doping level on the first amorphous silicon layer, and heating the crystalline silicon substrate and the first and second amorphous silicon layers to a temperature sufficient to cause solid phase epitaxial crystallization of the first and second amorphous silicon layers, such that the first and second amorphous silicon layers, after heating, have the same grain structure and crystal orientation as the underlying crystalline silicon substrate L'invention concerne un procédé pour obtenir un profil dopant désiré d'un émetteur pour une cellule solaire qui consiste à déposer une première couche de silicium amorphe présentant un premier niveau de dopage sur une surface supérieure du substrat de silicium cristallin, à déposer une seconde couche de silicium amorphe présentant un second niveau de dopage sur la première couche de silicium amorphe, et à chauffer le substrat de silicium cristallin et les première et seconde couches de silicium amorphe à une température suffisante pour entraîner la cristallisation épitaxique en phase solide des première et seconde couches de silicium amorphe, de sorte que les première et seconde couches de silicium amorphe, après chauffage, présentent la même structure de grain et la même orientation cristalline que le substrat de silicium cristallin sous-jacent.