A MIXED TRIMMING METHOD

A MIXED TRIMMING METHOD

The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: NEYRET, ERIC, BROEKAART, MARCEL, MOLINARI, SEBASTIEN, MIGETTE, MARION
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator NEYRET, ERIC
BROEKAART, MARCEL
MOLINARI, SEBASTIEN
MIGETTE, MARION
description The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over a predetermined depth (Pd1) in the first wafer. This first trimming step is followed by a second step (S5) for non-mechanical trimming over at least the remaining thickness of the first wafer. La présente invention concerne un procédé de finition d'une structure (500) comprenant une première tranche (200) liée à une seconde tranche (300), la première tranche (200) ayant un bord chanfreiné. Le procédé comprend une première étape (S4) de finition du bord de la première tranche (200) effectuée par usinage mécanique sur une profondeur prédéterminée (Pd1) dans la première tranche. La première étape de finition est suivie par une seconde étape (S5) de finition non mécanique réalisée sur au moins l'épaisseur restante de la première tranche.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2010026006A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2010026006A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2010026006A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZBB3VPD1jHB1UQgJ8vT19fRzV_B1DfHwd-FhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhgYGRmYGBmaOhsbEqQIAO-AgEA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>A MIXED TRIMMING METHOD</title><source>esp@cenet</source><creator>NEYRET, ERIC ; BROEKAART, MARCEL ; MOLINARI, SEBASTIEN ; MIGETTE, MARION</creator><creatorcontrib>NEYRET, ERIC ; BROEKAART, MARCEL ; MOLINARI, SEBASTIEN ; MIGETTE, MARION</creatorcontrib><description>The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over a predetermined depth (Pd1) in the first wafer. This first trimming step is followed by a second step (S5) for non-mechanical trimming over at least the remaining thickness of the first wafer. La présente invention concerne un procédé de finition d'une structure (500) comprenant une première tranche (200) liée à une seconde tranche (300), la première tranche (200) ayant un bord chanfreiné. Le procédé comprend une première étape (S4) de finition du bord de la première tranche (200) effectuée par usinage mécanique sur une profondeur prédéterminée (Pd1) dans la première tranche. La première étape de finition est suivie par une seconde étape (S5) de finition non mécanique réalisée sur au moins l'épaisseur restante de la première tranche.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20100311&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010026006A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20100311&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010026006A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>NEYRET, ERIC</creatorcontrib><creatorcontrib>BROEKAART, MARCEL</creatorcontrib><creatorcontrib>MOLINARI, SEBASTIEN</creatorcontrib><creatorcontrib>MIGETTE, MARION</creatorcontrib><title>A MIXED TRIMMING METHOD</title><description>The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over a predetermined depth (Pd1) in the first wafer. This first trimming step is followed by a second step (S5) for non-mechanical trimming over at least the remaining thickness of the first wafer. La présente invention concerne un procédé de finition d'une structure (500) comprenant une première tranche (200) liée à une seconde tranche (300), la première tranche (200) ayant un bord chanfreiné. Le procédé comprend une première étape (S4) de finition du bord de la première tranche (200) effectuée par usinage mécanique sur une profondeur prédéterminée (Pd1) dans la première tranche. La première étape de finition est suivie par une seconde étape (S5) de finition non mécanique réalisée sur au moins l'épaisseur restante de la première tranche.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBB3VPD1jHB1UQgJ8vT19fRzV_B1DfHwd-FhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGhgYGRmYGBmaOhsbEqQIAO-AgEA</recordid><startdate>20100311</startdate><enddate>20100311</enddate><creator>NEYRET, ERIC</creator><creator>BROEKAART, MARCEL</creator><creator>MOLINARI, SEBASTIEN</creator><creator>MIGETTE, MARION</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100311</creationdate><title>A MIXED TRIMMING METHOD</title><author>NEYRET, ERIC ; BROEKAART, MARCEL ; MOLINARI, SEBASTIEN ; MIGETTE, MARION</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010026006A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>NEYRET, ERIC</creatorcontrib><creatorcontrib>BROEKAART, MARCEL</creatorcontrib><creatorcontrib>MOLINARI, SEBASTIEN</creatorcontrib><creatorcontrib>MIGETTE, MARION</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>NEYRET, ERIC</au><au>BROEKAART, MARCEL</au><au>MOLINARI, SEBASTIEN</au><au>MIGETTE, MARION</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>A MIXED TRIMMING METHOD</title><date>2010-03-11</date><risdate>2010</risdate><abstract>The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over a predetermined depth (Pd1) in the first wafer. This first trimming step is followed by a second step (S5) for non-mechanical trimming over at least the remaining thickness of the first wafer. La présente invention concerne un procédé de finition d'une structure (500) comprenant une première tranche (200) liée à une seconde tranche (300), la première tranche (200) ayant un bord chanfreiné. Le procédé comprend une première étape (S4) de finition du bord de la première tranche (200) effectuée par usinage mécanique sur une profondeur prédéterminée (Pd1) dans la première tranche. La première étape de finition est suivie par une seconde étape (S5) de finition non mécanique réalisée sur au moins l'épaisseur restante de la première tranche.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2010026006A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title A MIXED TRIMMING METHOD
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-25T08%3A37%3A26IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=NEYRET,%20ERIC&rft.date=2010-03-11&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2010026006A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true