A MIXED TRIMMING METHOD

The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	NEYRET, ERIC, BROEKAART, MARCEL, MOLINARI, SEBASTIEN, MIGETTE, MARION
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The invention relates to a method of trimming a structure (500) comprising a first wafer (200) bonded to a second wafer (300), the first wafer (200) having a chamfered edge. The method comprises a first step (S4) for trimming the edge of the first wafer (200) carried out by mechanical machining over a predetermined depth (Pd1) in the first wafer. This first trimming step is followed by a second step (S5) for non-mechanical trimming over at least the remaining thickness of the first wafer. La présente invention concerne un procédé de finition d'une structure (500) comprenant une première tranche (200) liée à une seconde tranche (300), la première tranche (200) ayant un bord chanfreiné. Le procédé comprend une première étape (S4) de finition du bord de la première tranche (200) effectuée par usinage mécanique sur une profondeur prédéterminée (Pd1) dans la première tranche. La première étape de finition est suivie par une seconde étape (S5) de finition non mécanique réalisée sur au moins l'épaisseur restante de la première tranche.