LDMOS WITH DISCONTINUOUS METAL STACK FINGERS

An LDMOS transistor provided in a semiconductor structure comprises a source region and a drain region being mutually connected through a channel region over which a gate electrode extends, the drain region comprising a drain contact region, (22C) wherein the drain contact region and the top metal layer (36) are electrically connected by via contacts (44) extending through at least two vertically stacked intermediate layers (42) In order to reduce the parasitic capacitance contribution, within the at least two stacked intermediate layers, via contacts are at least partially isolated against each other. L'invention porte sur un transistor LDMOS disposé dans une structure semi-conductrice et qui comporte une région de source et une région de drain mutuellement connectées par l'intermédiaire d'une région de canal sur laquelle une électrode de grille s'étend, la région de drain comportant une région de contact de drain (22C), la région de contact de drain et la couche métallique supérieure (36) étant électriquement connectées par des contacts de trou d'interconnexion (44) s'étendant à travers au moins deux couches intermédiaires empilées verticalement (42). Pour réduire la contribution de capacité parasite, dans au moins deux couches intermédiaires empilées, des contacts de trou d'interconnexion sont au moins partiellement isolés les uns des autres.