SEMICONDUCTOR DEVICES WITH EXTENDED ACTIVE REGIONS

A method of making a semiconductor device (10) is achieved in and over a semiconductor layer. A trench (18, 20, 22) is formed adjacent to a first active area (24, 26, 28, 30). The trench is filled with insulating material (32, 34, 36). A masking feature (48, 50, 52) is formed over a center portion of the trench to expose a first side of the trench between a first side of the masking feature and the first active area. A step of etching into the first side of the trench leaves a first recess in the trench (54, 56, 58, 60). A first epitaxial region (62, 66) is grown in the first recess to extend the first active area to include the first recess and thereby form an extended first active region. Selon l'invention, on obtient un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur (10) dans une couche de semi-conducteur et sur celle-ci. Une rainure (18, 20, 22) se trouve à côté d'une première zone active (24, 26, 28, 30). On remplit la rainure de matériau isolant (32, 34, 36). On forme un masque (48, 50, 52) sur une partie centrale de la rainure pour exposer un premier côté de celle-ci entre un premier côté du masque et la première zone active. Une étape d'attaque du premier côté de la rainure laisse une première cavité dans la rainure (54, 56, 58, 60). On fait croître une première région épitaxiale (62, 66) dans la première cavité pour étendre la première zone active afin qu'elle comprenne la première cavité et forme ainsi une première région active étendue.