METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING A TWO-STAGE DOPING

Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed,...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HOLBIG, EVA-MARIA, MELNYK, IHOR, KELLER, STEFFEN, SCHMIDT, MICHAEL, FATH, PETER, SCHLOSSER, REINHOLD, KRUEMBERG, JENS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator HOLBIG, EVA-MARIA
MELNYK, IHOR
KELLER, STEFFEN
SCHMIDT, MICHAEL
FATH, PETER
SCHLOSSER, REINHOLD
KRUEMBERG, JENS
description Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas. La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires qui comportent un dopage à deux étages (9, 11). Ledit procédé comprend les étapes qui consistent à doper lourdement (50) au moins une partie du substrat de cellule solaire (1), à protéger au moins temporairement des zones dopées (8), dans lesquelles des zones lourdement dopées (9) du dopage à deux étages (9, 11) doivent être formées, d'un agent de gravure et graver en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées (17) du substrat de cellule solaire (1) au moyen de l'agent de gravure. Dans le but de protéger les zones dopées, des structures sacrificielles (7) sont appliquées (52) sur les zones (8) destinées à être protégées, qui sont au moins partiellement gravées (54 ; 62, 64 ; 72, 74) au cours de la gravure en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées.
format Patent
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La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires qui comportent un dopage à deux étages (9, 11). Ledit procédé comprend les étapes qui consistent à doper lourdement (50) au moins une partie du substrat de cellule solaire (1), à protéger au moins temporairement des zones dopées (8), dans lesquelles des zones lourdement dopées (9) du dopage à deux étages (9, 11) doivent être formées, d'un agent de gravure et graver en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées (17) du substrat de cellule solaire (1) au moyen de l'agent de gravure. Dans le but de protéger les zones dopées, des structures sacrificielles (7) sont appliquées (52) sur les zones (8) destinées à être protégées, qui sont au moins partiellement gravées (54 ; 62, 64 ; 72, 74) au cours de la gravure en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20100128&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010010462A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20100128&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2010010462A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HOLBIG, EVA-MARIA</creatorcontrib><creatorcontrib>MELNYK, IHOR</creatorcontrib><creatorcontrib>KELLER, STEFFEN</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMIDT, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>FATH, PETER</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHLOSSER, REINHOLD</creatorcontrib><creatorcontrib>KRUEMBERG, JENS</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING A TWO-STAGE DOPING</title><description>Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas. La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires qui comportent un dopage à deux étages (9, 11). Ledit procédé comprend les étapes qui consistent à doper lourdement (50) au moins une partie du substrat de cellule solaire (1), à protéger au moins temporairement des zones dopées (8), dans lesquelles des zones lourdement dopées (9) du dopage à deux étages (9, 11) doivent être formées, d'un agent de gravure et graver en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées (17) du substrat de cellule solaire (1) au moyen de l'agent de gravure. Dans le but de protéger les zones dopées, des structures sacrificielles (7) sont appliquées (52) sur les zones (8) destinées à être protégées, qui sont au moins partiellement gravées (54 ; 62, 64 ; 72, 74) au cours de la gravure en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLD2dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1dwVAj293EMUnB29fFR8HAMg4iFhPvrBoc4ursquPgHAIV4GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgaEBEJmYGTkaGhOnCgBIKymh</recordid><startdate>20100128</startdate><enddate>20100128</enddate><creator>HOLBIG, EVA-MARIA</creator><creator>MELNYK, IHOR</creator><creator>KELLER, STEFFEN</creator><creator>SCHMIDT, MICHAEL</creator><creator>FATH, PETER</creator><creator>SCHLOSSER, REINHOLD</creator><creator>KRUEMBERG, JENS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100128</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING A TWO-STAGE DOPING</title><author>HOLBIG, EVA-MARIA ; MELNYK, IHOR ; KELLER, STEFFEN ; SCHMIDT, MICHAEL ; FATH, PETER ; SCHLOSSER, REINHOLD ; KRUEMBERG, JENS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2010010462A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HOLBIG, EVA-MARIA</creatorcontrib><creatorcontrib>MELNYK, IHOR</creatorcontrib><creatorcontrib>KELLER, STEFFEN</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMIDT, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>FATH, PETER</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHLOSSER, REINHOLD</creatorcontrib><creatorcontrib>KRUEMBERG, JENS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HOLBIG, EVA-MARIA</au><au>MELNYK, IHOR</au><au>KELLER, STEFFEN</au><au>SCHMIDT, MICHAEL</au><au>FATH, PETER</au><au>SCHLOSSER, REINHOLD</au><au>KRUEMBERG, JENS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL HAVING A TWO-STAGE DOPING</title><date>2010-01-28</date><risdate>2010</risdate><abstract>Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas. La présente invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires qui comportent un dopage à deux étages (9, 11). Ledit procédé comprend les étapes qui consistent à doper lourdement (50) au moins une partie du substrat de cellule solaire (1), à protéger au moins temporairement des zones dopées (8), dans lesquelles des zones lourdement dopées (9) du dopage à deux étages (9, 11) doivent être formées, d'un agent de gravure et graver en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées (17) du substrat de cellule solaire (1) au moyen de l'agent de gravure. Dans le but de protéger les zones dopées, des structures sacrificielles (7) sont appliquées (52) sur les zones (8) destinées à être protégées, qui sont au moins partiellement gravées (54 ; 62, 64 ; 72, 74) au cours de la gravure en retrait (54 ; 62, 64 ; 72, 74) des zones dopées non protégées.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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