MOS TRANSISTOR RESISTOR, FILTER, AND INTEGRATED CIRCUIT

Disclosed is a MOS transistor resistor that is equipped with a first MOS transistor (M1), which is used as a resistor, an input voltage source (1), which is connected, and applies an input voltage (Vin), to the source of the first MOS transistor, and a gate voltage source (6), which is connected, and applies a gate voltage (Vg), to the gate of the first MOS transistor. The gate voltage (Vg) and input voltage (Vin) are set in a range to cause the first MOS transistor to operate with the gate-source voltage and the source-drain voltage in the first MOS transistor in the unsaturated zone, and are set so that the temperature characteristics at the resistance value of the first MOS transistor become constant. Fluctuations in resistance value, which are caused by changes in leakage current due to manufacturing variances, are decreased and excellent temperature characteristics are obtained. L'invention concerne une résistance de transistor MOS qui est équipée d'un premier transistor MOS (M1), utilisée comme résistance, d'une source de tension d'entrée (1), connectée et appliquant une tension d'entrée (Vin) à la source du premier transistor MOS, et d'une source de tension de grille (6), connectée et appliquant une tension de grille (Vg) à la grille du premier transistor MOS. La tension de grille (Vg) et la tension d'entrée (Vin) sont définies dans une plage de sorte à amener le premier transistor MOS à fonctionner avec la tension grille-source et la tension source-drain dans le premier transistor MOS, dans la zone insaturée, et sont définies de sorte que les caractéristiques de température à la valeur de résistance du premier transistor MOS deviennent constantes. Les fluctuations de la valeur de résistance, qui sont provoquées par des changements de courant de fuite dus à des différences de fabrication, sont réduites et d'excellentes caractéristiques de température sont obtenues.