CONTACT TRENCHES FOR ENHANCING STRESS TRANSFER IN CLOSELY SPACED TRANSISTORS

Scalability of a strain-inducing mechanism on the basis of a stressed dielectric overlayer may be enhanced by forming a single stress-inducing layer (230) in combination with contact trenches, which may shield a significant amount of a non-desired stress component in the complementary transistor (220, 220P), while also providing a strain component in the transistor width direction (220W)when the contact material may be provided with a desired internal stress level. Selon l'invention, l'extensibilité d'un mécanisme générateur de déformation sur la base d'une surcouche diélectrique contrainte peut être améliorée par formation d'une couche génératrice de contrainte unique (230) en combinaison avec des tranchées de contact, qui peuvent protéger contre une quantité importante d'une composante de contrainte non désirée dans le transistor complémentaire (220, 220P), tout en fournissant également une composante de déformation dans la direction de largeur du transistor (220W) lorsque le matériau de contact peut se voir conférer un niveau de contrainte interne souhaité.