TECHNIQUES FOR MEASURING ION BEAM EMITTANCE

Techniques for measuring ion beam emittance are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for measuring ion beam emittance. The apparatus may comprise a measurement assembly comprising a first mask, a second mask, and a pivot axis, such that the measurement assembly rotates about the pivot axis in order to scan an ion beam using either the first mask or the second mask to measure ion beam emittance for providing a measure of ion beam uniformity. L'invention concerne des techniques pour mesurer l'émittance d'un faisceau ionique. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, les techniques peuvent être mises en oeuvre sous forme d'appareil pour mesurer l'émittance d'un faisceau ionique. L'appareil peut comprendre un ensemble de mesure qui comprend un premier masque, un deuxième masque, et un axe de pivotement, de façon que l'ensemble de mesure tourne autour de l'axe de pivotement pour balayer un faisceau ionique au moyen du premier masque ou du deuxième masque afin de mesurer l'émittance du faisceau ionique dans le but de fournir une mesure de l'uniformité du faisceau ionique.