VACUUM CHANNEL TRANSISTOR

The present invention relates to a transistor, and more particularly, to a vacuum channel transistor. The vacuum channel transistor according to the present invention comprises a semiconductor substrate; a cathode layer disposed on the semiconductor substrate; an anode layer disposed above the cathode layer to be spaced apart from the cathode layer; and a gate layer disposed between the cathode layer and the anode layer to be spaced apart from the cathode layer and the anode layer. In the vacuum channel transistor, the cathode layer comprises a heating resistor, and the gate layer comprises an electron passing region so that electrons emitted from the cathode layer are transferred to the anode layer. La présente invention concerne un transistor et, plus particulièrement, un transistor à canal à vide. Le transistor à canal à vide selon la présente invention comprend un substrat semi-conducteur ; une couche de cathode disposée sur le substrat semi-conducteur ; une couche d'anode disposée sur la couche de cathode de manière à être espacée de la couche de cathode ; et une couche de grille disposée entre la couche de cathode et la couche d'anode de manière à être espacée de la couche de cathode et de la couche d'anode. Dans le transistor à canal à vide, la couche de cathode comprend une résistance de chauffage, et la couche de grille comprend une région de passage d'électrons de sorte que les électrons émis par la couche de cathode soient transférés à la couche d'anode.