METHOD OF FORMING A NOZZLE AND AN INK CHAMBER OF AN INK JET DEVICE BY ETCHING A SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE

1. A method of forming a nozzle (32) and an ink chamber of an ink jet device, wherein a nozzle passage (28) is formed by subjecting a substrate (10) to a directional first etch process from one side of the substrate, and a second etch process is applied from the same side of the substrate for widening an internal part of the nozzle passage (28), thereby to form a cavity (30) forming at least a portion of the ink chamber adjacent to the nozzle (32), wherein the shape of the cavity (30) is controlled by providing, on the opposite side of the substrate (10), an etch accelerating layer (14) buried under an etch stop layer (18) and by allowing the second etch process to proceed into the etch accelerating layer (14), characterized in that the following steps precede the first etch process: forming an annular trench in the substrate (10) on the side where the nozzle (32) is to be formed, and passivating the walls (40) of the trench so as to become resistant against the second etch process, and in that the material surrounded by the trench is removed in the first etch process. L'invention concerne un procédé de formation d'une buse (32) et d'une chambre à encre d'un dispositif à jet d'encre, un passage (28) de buse étant formé en soumettant un substrat (10) à un premier processus d'attaque chimique directionnelle d'un côté du substrat et un deuxième processus d'attaque chimique étant appliqué du même côté du substrat afin d'élargir une partie interne du passage (28) de buse, pour former ainsi une cavité (30) formant au moins une partie de la chambre à encre au voisinage de la buse (32), la forme de la cavité (30) étant contrôlée en plaçant, du côté opposé du substrat (10), une couche accélératrice (14) d'attaque chimique recouverte par une couche inhibitrice (18) d'attaque chimique et en permettant au deuxième processus d'attaque chimique de se poursuivre jusque dans la couche accélératrice (14) d'attaque chimique, caractérisé en ce que le premier processus d'attaque chimique est précédé des étapes suivantes : former une tranchée annulaire dans le substrat (10) du côté où la buse (32) doit être formée, et passiver les parois (40) de la tranchée de façon à les rendre résistantes au deuxième processus d'attaque chimique, et en ce que le matériau entouré par la tranchée est éliminé lors du premier processus d'attaque chimique.