ENHANCEMENT OF DETECTION OF DEFECTS ON DISPLAY PANELS USING FRONT LIGHTING
Front-side illumination apparatus and methods are provided to enable, in general, detection of a-Si residue defects at the array test step well before the cell step. a-Si has high resistivity without exposure to light making it difficult to detect in conventional TFT-array test procedures. On the ot...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Front-side illumination apparatus and methods are provided to enable, in general, detection of a-Si residue defects at the array test step well before the cell step. a-Si has high resistivity without exposure to light making it difficult to detect in conventional TFT-array test procedures. On the other hand, when the a-Si residue is illuminated with a light, its resistivity decreases, which, in turn, changes the electrical properties of the TFT array cell, which may be detected using the voltage imaging optical system (VIOS). In one implementation, the TFT array cell is exposed to illuminating light pulses, impacting the top side of the TFT panel during the testing performed using the VIOS. In one implementation, the front side illumination is traveling along the same path as the illumination used for voltage imaging in the VIOS. In another implementation, light source(s) for front side illumination are located in the close proximity to the VIOS modulator.
L'invention concerne un appareil d'éclairage frontal et des procédés associés permettant, en général, la détection de défauts de résidus a-Si lors de l'étape de test de réseau, bien avant l'étape de cellule. a-Si présente une résistivité élevée, sans exposition à la lumière, ce qui rend sa détection difficile dans les procédures de test de réseaux TFT classiques. D'autre part, lorsque le résidu a-Si est éclairé par une lumière, sa résistivité diminue, ce qui modifie les propriétés électriques de la cellule de réseaux TFT qui peuvent être détectées au moyen d'un système optique d'imagerie par tension (VIOS). Dans un mode de réalisation, la cellule de réseaux TFT est exposée à des impulsions lumineuses d'éclairage venant frapper le sommet du panneau TFT pendant le test réalisé au moyen du système optique d'imagerie par tension. Dans un mode de réalisation, l'éclairage frontal est acheminé sur le même trajet que l'éclairage utilisé pour l'imagerie par tension du système associé. Dans un autre mode de réalisation, une/des source(s) de lumière pour l'éclairage frontal est/sont située(s) à proximité du modulateur du système optique d'imagerie. |
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