LAYERED STRUCTURES COMPRISING SILICON CARBIDE LAYERS, A PROCESS FOR THEIR MANUFACTURE AND THEIR USE

A layered structure comprising in this order: (A) a silicon carbide layer, (B) at least one stratum (b1) located at at least one major surface of the silicon carbide layer (A), (b2) chemically bonded to the bulk of the silicon carbide layer (A) by silicon-oxygen and/or silicon-carbon bonds, (b3) covering the at least one major surface of the silicon carbide layer (A) partially or completely, and (b4) having a higher polarity than a pure silicon carbide surface as exemplified by a contact angle with water which is lower than the contact angle of water with a pure silicon carbide surface; and (C) at least one dielectric layer, which covers the stratum or the strata (B) partially or completely and is selected from inorganic and inorganic-organic hybrid dielectric layers; a process for its manufacture and its use. La présente invention concerne une structure stratifiée qui comprend selon l'ordre suivant : (A) une couche de carbure de silicium, (B) au moins une strate (b1) située sur au moins une surface principale de la couche de carbure de silicium (A), (b2) liée chimiquement au substrat de la couche de carbure de silicium (A) par liaison de silicium-oxygène et/ou silicium-carbone, (b3) couvrant, en totalité ou en partie, la ou les surfaces principales de la couche de carbure de silicium (A), et (b4) présentant une polarité supérieure à une surface de carbure de silicium pur telle qu'illustrée par un angle de contact avec l'eau qui est inférieur à l'angle de contact de l'eau avec une surface de carbure de silicium pur ; et (C) au moins une couche diélectrique qui couvre la strate (B) en totalité ou en partie et qui est sélectionnée parmi des couches diélectriques hybrides de substance organique-inorganique et de substance inorganique. La présente invention concerne également leur procédé de fabrication et leur utilisation.