METHOD OF FORMING A NANOCLUSTER-COMPRISING DIELECTRIC LAYER AND DEVICE COMPRISING SUCH A LAYER

A method of forming a dielectric layer (330) on a further layer (114, 320) of a semiconductor device (300) is disclosed. The method comprises depositing a dielectric precursor compound and a further precursor compound over the further layer (114, 320), the dielectric precursor compound comprising a metal ion from the group consisting of Yttrium and the Lanthanide series elements, and the further precursor compound comprising a metal ion from the group consisting of group IV and group V metals; and chemically converting the dielectric precursor compound and the further precursor compound into a dielectric compound and a further compound respectively, the further compound self-assembling during said conversion into a plurality of nanocluster nuclei (335) within the dielectric layer (330) formed from the first dielectric precursor compound. The nanoclusters may be dielectric or metallicinnature. Consequently, a dielectric layer is formed that has excellent charge trapping capabilities. Such a dielectric layer is particularly suitable for use in semiconductor devices such as non-volatile memories. La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche diélectrique (330) sur une couche supplémentaire (114, 320) d'un dispositif semi-conducteur (300). Le procédé comprend le dépôt d'un composé de précurseur diélectrique et d'un composé de précurseur supplémentaire sur la couche supplémentaire (114, 320), le composé de précurseur diélectrique comprenant un ion métallique provenant du groupe consistant en éléments des séries yttrium et lanthanide, et le composé de précurseur supplémentaire comprenant un ion métallique provenant du groupe comprenant les métaux du groupe IV et du groupe V ; et la conversion chimique du composé de précurseur diélectrique et du composé de précurseur supplémentaire en un composé diélectrique et un composé supplémentaire respectivement, le composé supplémentaire s'auto-assemblant lors de ladite conversion en une pluralité de noyaux de nano-agrégats (335) dans la couche diélectrique (330) formée à partir du premier composé de précurseur diélectrique. Les nano-agrégats peuvent être de nature diélectrique ou métallique. En conséquence, une couche diélectrique qui présente d'excellentes capacités de piégeage de charge est formée. Une telle couche diélectrique convient particulièrement à une utilisation dans des dispositifs semi-conducteurs tels que des mémoires non volatiles.