METHOD OF REDUCING THE OCCURRENCE OF BURN-IN DUE TO NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY

A method for alleviating burn-in effect and enabling performing a start-up process in respect of a device comprising a plurality of challengeable memory elements, wherein the memory elements are able to, upon start-up, generate a response pattern of start- up values useful for identification as the response pattern depends on physical characteristics of the memory elements, the method comprising the step of, after start-up of the memory elements, writing a data pattern to the memory elements which is inverse to a response pattern that was previously read from the same memory elements. Thus, degradation of the PMOS transistors due to NBTI can be alleviated. L'invention concerne un procédé pour atténuer l'effet de déverminage et permettre l'exécution d'un processus de démarrage par rapport à un dispositif comprenant une pluralité d'éléments de mémoire contestables. Les éléments de mémoire sont capables, lors du démarrage, de générer un motif de réponse de valeurs de démarrage utile pour l'identification étant donné que le motif de réponse dépend des caractéristiques physiques des éléments de mémoire. Le procédé comprend l'étape consistant à, après le démarrage des éléments de mémoire, écrire un motif de données dans les éléments de mémoire qui est l'inverse d'un motif de réponse qui a été lu précédemment dans les mêmes éléments de mémoire. Ainsi, une dégradation des transistors PMOS due à la NBTI peut être atténuée.