NITRIDED BARRIER LAYERS FOR SOLAR CELLS

The present invention relates to polysilicon emitter solar cells, and more particularly to polysilicon emitter solar cells with hyperabrupt junctions, and methods for making such solar cells. According to one aspect, a polysilicon emitter solar cell according to the invention includes a nitrided tunnel insulator. The nitridation prevents boron diffusion, enabling a hyperabrupt junction for a p-poly on n-Si device. According to another aspect, a nitrided oxide (DPN) is used in a tunnel oxide layer of a MIS solar cell structure. The DPN layer minimizes plasma damage, resulting in improved interface properties. An overlying polysilicon emitter can then provide a low sheet resistance emitter without heavy doping effects in the substrate, excess recombination, or absorption, and is a significant improvement over a conventional diffused emitter or TCO. According to another aspect, the invention includes a method for making a solar cell structure that is functionally equivalent to a selective emitter, but without the requirement for multiple diffusions, long diffusions, aligned lithography, or fine contact holes. L'invention concerne des cellules solaires à émetteur de silicium polycristallin, et plus particulièrement des cellules solaires à émetteur de silicium polycristallin ayant des jonctions hyper-abruptes, et des procédés pour fabriquer de telles cellules solaires. Selon un aspect, une cellule solaire à émetteur de silicium polycristallin selon l'invention comprend un isolant de tunnel nitruré. La nitruration empêche une diffusion de bore, permettant une jonction hyper-abrupte pour un dispositif p-poly sur n-Si. Conformément à un autre aspect, un oxyde nitruré (DPN) est utilisé dans une couche d'oxyde de tunnel d'une structure de cellule solaire MIS. La couche de DPN minimise la détérioration du plasma, le résultat étant des propriétés d'interface améliorées. Un émetteur de silicium polycristallin recouvrant peut alors fournir un émetteur à résistance en feuille faible sans effet dopant lourd dans le substrat, recombinaison en excès, ou absorption, et constitue une amélioration significative sur des émetteurs diffusés habituels ou TCO. Selon un autre aspect, l'invention comprend un procédé pour fabriquer une structure de cellule solaire qui soit fonctionnellement équivalente à un émetteur sélectif, mais sans avoir besoin de multiples diffusions, de longues diffusions, d'une lithographie alignée, ou de fins trous de contact.