CORRELATED ELECTRON MATERIAL WITH MORPHOLOGICAL FORMATIONS

A non-volatile resistive switching memory that includes a material which changes between the insulative and conductive states due to correlations between electrons, particularly via a Mott transition. The material is crystallized into the conductive state and does not require electroforming. The material exhibits at least one morphological formation. L'invention concerne une mémoire à commutation résistive non volatile comprenant un matériau qui change entre un état isolant et un état conducteur du fait des corrélations entre les électrons, en particulier par l'intermédiaire d'une transition de Mott. Le matériau est cristallisé à l'état conducteur et n'a pas besoin d'électroformage. Le matériau présente au moins une formation morphologique.