OPTICAL DEVICES FEATURING NONPOLAR TEXTURED SEMICONDUCTOR LAYERS

A semiconductor emitter, or a precursor therefor, has a substrate and one or more textured semiconductor layers deposited onto the substrate in a nonpolar orientation. The textured layers enhance light extraction, and the use of nonpolar orientation greatly enhances internal quantum efficiency compa...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MOLDAWER, ADAM, ABELL, JOSHUA, MOUSTAKAS, THEODORE, D, BHATTACHARYYA, ANIRBAN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor emitter, or a precursor therefor, has a substrate and one or more textured semiconductor layers deposited onto the substrate in a nonpolar orientation. The textured layers enhance light extraction, and the use of nonpolar orientation greatly enhances internal quantum efficiency compared to conventional devices. Both the internal and external quantum efficiencies of emitters of the invention can be 70-80% or higher. The invention provides highly efficient light emitting diodes suitable for solid state lighting. L'invention concerne un émetteur à semi-conducteur, ou l'un de ses précurseurs, qui comporte un substrat et une ou plusieurs couches de semi-conducteur texturées déposées sur le substrat dans une orientation non polaire. Les couches texturées favorisent l'extraction de lumière, et l'utilisation d'une orientation non polaire augmente considérablement le rendement quantique interne en comparaison à des dispositifs classiques. Les rendements quantiques interne et externe des émetteurs de l'invention peuvent être de 70 à 80 % ou plus. L'invention des diodes électroluminescentes à haut rendement appropriées pour un dispositif d'éclairage à semi-conducteur.