QUANTUM UNCOOLED INFRA-RED PHOTO-DETECTOR
A photo-detector comprising: a p-doped semiconductor layer; an n-doped semiconductor layer juxtaposed with the p-doped semiconductor layer; one of an intrinsic amorphous silicon layer sandwiched between the p-doped semiconductor layer and the n-doped semiconductor layer and a depletion region formed...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A photo-detector comprising: a p-doped semiconductor layer; an n-doped semiconductor layer juxtaposed with the p-doped semiconductor layer; one of an intrinsic amorphous silicon layer sandwiched between the p-doped semiconductor layer and the n-doped semiconductor layer and a depletion region formed between the p-doped semiconductor layer juxtaposed with the n-doped semiconductor layer; a plurality of mesoscopic sized particles within the one of the intrinsic amorphous silicon layer sandwiched between the p-doped semiconductor layer and the n-doped semiconductor layer and the depletion region formed between the p-doped semiconductor layer juxtaposed with the n-doped semiconductor layer. A source of pumping light is provided and arranged to be received at the mesoscopic sized particles thereby generating free carriers confined in the mesoscopic sized particles. Received light of a target waveband releases the carriers from confinement which is detected as a flow of current.
La présente invention concerne un photo-détecteur comprenant : une couche semi-conductrice dopée de type p; une couche semi-conductrice dopée de type n juxtaposée avec la couche semi-conductrice dopée de type p; une couche de silicium amorphe intrinsèque comprise entre la couche semi-conductrice dopée de type p et la couche semi-conductrice dopée de type n et une région de déplétion formée entre la couche semi-conductrice dopée de type p juxtaposée avec la couche semi-conductrice dopée de type n; une pluralité de particules de taille mésoscopique à l'intérieur d'une couche de silicium amorphe intrinsèque comprise entre la couche semi-conductrice dopée de type p et la couche semi-conductrice dopée de type n et la région de déplétion formée entre la couche semi-conductrice dopée de type p juxtaposée avec la couche semi-conductrice dopée de type n. L'invention concerne également une source de lumière de pompage qui est disposée de sorte à recevoir les particules de taille mésoscopique générant de ce fait des transporteurs libres confinés dans les particules de taille mésoscopique. La lumière reçue d'une gamme d'ondes cible libère les transporteurs du confinement qui sont détectés comme flux de courant. |
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