METHOD OF FORMING A PROBE PAD LAYOUT/DESIGN, AND RELATED DEVICE

A semiconductor die and wafer configuration that facilitates probing at a probe pitch (y) greater than a die bond pad pitch (x) and a related testing method are disclosed. Dies (110) are formed on a wafer (100) with scribe streets (140) located between adjacent dies. Interconnects (200) connect alternating ones of adjacent bond pads (120) to respective test pads (190) located within adjacent scribe streets (140), thereby establishing adjacent probe points separated by a pitch y, greater than pad pitch x. This configuration enables testing using a tester having an a probe separation pitch of y, greater than x. In one form, adjacent test pads are separated by a pitch y = 2x, which enables probing of both bond pads and test pads using a tester with spaced linear probe arrays having the same y = 2x probe pitch. La présente invention concerne une configuration de tranche et de puce de semi-conducteurs qui facilite le test sur un pas de test (y) supérieur à un pas de plage de contact de puce (x) et un procédé d'essai associé. Des puces (110) sont formées, sur une tranche (100), de chemins de découpe (140) situés entre des puces adjacentes. Des interconnexions (200) connectent en alternance les plages de contact adjacentes (120) à des plages d'essai respectives (190) situées dans les chemins de découpe adjacents (140), ce qui établit des points de test adjacents séparés par un pas y supérieur au pas de plage x. Cette configuration permet de procéder à des essais à l'aide d'un dispositif d'essai ayant un pas de séparation de test y supérieur à x. Dans une approche, les plages de contact adjacentes sont séparées par un pas y = 2x, ce qui permet de tester à la fois les plages de contact et les plages d'essai à l'aide d'un dispositif d'essai équipé de matrices de test linéaires espacées ayant le même pas de test y = 2x.