PHOTONIC QUANTUM RING LASER AND FABRICATION METHOD THEREOF

A photonic quantum ring (PQR) laser includes an active layer having a multi-quantum-well (MQW) structure and etched lateral face. The active layer is formed to be sandwitched between p-GaN and n-GaN layers epitaxially grown on a reflector disposed over a support substrate. A coating layer is formed over an outside of the lateral faces of the active layer, an upper electrode is electrically connected to an upper portion of the n-GaN layer, and a distributed Bragg reflector (DBR) is formed over the n-GaN layer and the upper electrode. Accordingly, the PQR laser is capable of oscillating a power-saving vertically dominant 3D multi-mode laser suitable for a low power display device, prevent the light speckle phenomenon, and generate focus-adjusted 3D soft light. L'invention concerne un laser photonique à anneau quantique (PQR) comprenant une couche active dotée d'une structure à plusieurs puits quantiques (MQW) et une face latérale gravée. La couche active est formée pour être prise en sandwich entre des couches p-GaN et n-GaN développées de manière épitaxiale sur un réflecteur disposé sur un substrat support. Une couche de revêtement est formée sur l'extérieur des faces latérales de la couche active, une électrode supérieure est connectée électriquement à une partie supérieure de la couche n-GaN, et un réflecteur de Bragg distribué (DBR) est formé sur la couche n-GaN et l'électrode supérieure. En conséquence, le laser PQR est capable de faire osciller un laser multimode 3D vertical dominant à économies d'énergies approprié pour un dispositif d'affichage faible puissance, d'empêcher le phénomène de chatoiement lumineux et de générer une lumière douce 3D à réglage focal.